电磁模拟资源 | Remcom

用于毫米波无线虚拟现实头显的 5G 天线阵列仿真 | Remcom

作者:凯特琳-布里克利| Apr 30, 2019 4:15:51 PM

索取项目文件


导言

本示例演示了用于可穿戴设备(如虚拟现实头盔)无线通信的 5G 60 GHz 应用的天线阵列模拟。本例中的天线设计来自汉阳大学 Hong 和 Choi 的论文[1]。阵列由四个元件组成,每个元件有两个贴片和一个寄生元件。寄生元件有助于在一个维度上产生更宽的波束,从而提供更好的覆盖范围。可通过改变元件之间的相移来引导波束,以提供接近半球形的覆盖范围。

设备设计与仿真

拟议的阵列设计如图 1 所示,其中红色材料代表基板(Taconic TLY,相对介电常数为 2.2,损耗正切为 0.0009),绿色材料为铜。天线的底层是基板,下面是接地平面。这一层的顶端是 50 欧姆的馈电线,在到达第一个贴片之前要经过阻抗匹配,然后一条 70 欧姆的线连接到第二个贴片。这些贴片元件被另一层基底层覆盖,该层顶部是与 70 欧姆线路垂直的寄生元件。从图 2 结构的三维视图中可以看到第二层。这些元件的间距为半个波长,由具有可变相位的节点波导端口馈电。


图 1:所示为天线阵列的俯视图,红色为衬底层,绿色为金属馈线和寄生元件。贴片显示为轮廓,因为它们被第二层衬底覆盖。

图 2:天线阵列的三维图,顶部衬底层的边缘在贴片上更加明显。阵列顶部可见四个节点波导馈电端口。

最初,天线阵列是单独模拟的,用于回波损耗和增益模式分析。在计算 S 参数时,每个端口都单独进行模拟,其他端口则以 50 欧姆负载端接。每个端口的回波损耗结果如图 3 所示,每个端口的响应都与其他端口十分相似。模拟还在没有寄生元件的情况下进行,以显示加入寄生元件对回波损耗的影响。从图 3 中可以看出,寄生元件使天线的共振频率升高,并减小了 S11 null 的深度。如图 4 所示,在所有端口都处于激活状态且相位一致的情况下对天线进行仿真,计算出宽边增益模式。从图中可以看出,在没有寄生元件的情况下,图案在 +/- 40 度附近有较深的空点,这是不理想的。加入寄生元件后,空洞减少,阵列产生了宽扇形波束。图 5 更好地展示了这种波束的三维效果,可以看到垂直方向的图案很宽,而水平方向的图案很窄(3 分贝波束宽度为 24 度)。


图 3:阵列中每个元件的回波损耗非常相似。增加寄生元件后,响应频率升高,空深度减小。


图 4:在包含寄生元件的情况下,阵列宽边的增益模式相当宽。如果没有寄生元件,图案中会出现不希望出现的空点。

图 5:等相位情况下的三维增益模式显示,增益峰值位于扇形模式的一侧。

通过改变元件之间的相位,该阵列可以实现光束转向。在图 6 中,该阵列通过在元件之间施加 90 度的相移,将光束转向水平方向约 30 度。在图 7 中,通过以 30 度为单位从-90 到 90 的相移变化,显示了七种可能的光束。

图 6:天线元件之间的相位偏移为 90 度时,波束向侧面偏移约 30 度。

图 7:以 30 度为增量,将相移从-90 度扫到 90 度,可产生七束光,覆盖广阔的区域。

接下来,天线阵列被安装在虚拟现实头戴式设备的幻象头部,以演示可能的应用,如图 8 所示。由于 60 GHz 频率下的头部非常大,图 9 所示的总问题空间的一部分实际上是为演示而模拟的。图 10 显示了阵列的主波束(所有元件同相)与头戴式耳机和模型的对比。如图 11 所示,当在元件之间施加 90 度相位偏移时,光束向一侧偏移约 30 度。图 12 展示了同时出现的两个光束。

在这些应用中,模型表面的耗散功率也很重要,它可以通过XFdtd 计算出来。图 13 显示了在幻影模型的评估表面上来自耳机安装阵列的耗散功率。

图 8:天线阵列安装在虚拟现实头戴设备上。头戴式耳机安装在幻象头部模型上。

图 9:由于问题空间较大,实际模拟使用的是耳麦/头部模型的一部分。

图 10:所示为所有元件同相情况下的计算增益模式,增益接近 15 dBi,波束呈扇形。

图 11:在元件之间进行 90 度相移后,光束向侧面偏移了约 30 度。

图 12:该图像显示了 0 度和 90 度相移的两束光。

图 13:软件计算并显示辐射阵列在头部模型表面的耗散功率。

参考资料

[1] Y. Hong 和 J. Choi,"面向毫米波 5G 可穿戴应用的 60 GHz 阵列天线",2018 IEEE 天线与传播国际研讨会暨 USNC/URSI 国家无线电科学会议,第 1207-1208 页,2018 年。