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在 XFdtd | Remcom 中模拟波束扫描基底集成波导漏波天线

作者:凯特琳-布里克利| May 14, 2019 7:14:58 PM


导言

在本示例中,XFdtd 用于天线仿真,重点是带有横向槽的基底集成波导(SIW)漏波天线的性能。该设计来自 Liu、Jackson 和 Long 的论文[1]。该天线的工作原理类似于横向开槽矩形波导,但采用 SIW 设计,以降低成本、减小尺寸并更容易与平面电路集成。计算结果包括 S 参数性能、天线增益和效率。

设备设计与仿真

整个天线的俯视图如图 1 所示,其中绿色材料代表铜,红色材料代表介质(相对介电率 = 2.25,损耗正切为 0.001)。该器件长约 310 毫米,宽约 40 毫米,高约 1 毫米。天线顶部的铜微带层具有间隔固定的横向槽,两端呈锥形。在设备的两端,节点波导端口与连接到 SIW 部分的锥形微带线相连。顶层有许多横向槽,如图 2 所示。顶层微带层的边缘以通孔为端点。图 3 至图 5 显示了各层的斜视图,图 3 显示了所有部件,图 4 显示了基底,图 5 显示了通孔。

图 1:天线 3D CAD 模型的俯视图,显示了两端连接锥形微带线的输入和输出端口,以及中间带有许多插槽的微带部分。

图 2:天线一端的细节图,显示了位于微带线下方的锥形槽和弯曲通孔路径。

图 3:天线从一个端口的斜视图,显示了与锥形线相连的节点波导端口、基底层的厚度以及开槽顶层的一部分。

图 4:去除顶部微带层后,天线结构中的衬底和部分通孔清晰可见。

图 5:在该图中,衬底层已被移除,接地层和通孔清晰可见。

通过在波导端口的一端施加限频信号,对该器件进行了模拟。S 参数结果如图 6 所示,从图中可以看出,该器件在 10.4-12.5 千兆赫和 10.4 千兆赫以下的几个较小频段具有良好的工作性能。低于 10 GHz 时,响应截止。

图 6:S 参数显示,从大约 10.4 GHz 到 12.5 GHz 的回波损耗良好,而 S21 在同一区域的损耗在 -6 到 -2 dB 之间。

根据频率的不同,天线会产生几种波束,范围从接近宽边到接近端火。这些波束通常很窄,呈扇形。如图 7 极坐标图所示,在 10.2 千兆赫频率下,波束相当窄,在 YZ 平面θ=70 度处达到约 8.6 dBi 的峰值。图 8 从与图 7 极坐标图相同的角度显示了 10.2 GHz 波形的三维图。图 9 显示了 10.2 GHz 三维图案的不同角度。如图 10、图 11 和图 12 所示,在 10.8 GHz 时,峰值增益增加到 11.1 dBi,波束在 YZ 平面的 theta=49 度处移动到一个峰值。如图 13、图 14 和图 15 所示,在 11.5 千兆赫时,图案略微变宽,峰值增益增加,主波束方向变为 theta=28 度,最大增益为 12.7 dBi。如图 16、17 和 18 所示,在 11.7 千兆赫,θ=19 度时的最大增益为 14 dBi。最后,如图 19、20 和 21 所示,在 12 千兆赫频率下,θ=13 度角时的最大增益为 14.2 dBi。

图 7:YZ 平面(沿天线长度方向)上 10.2 千兆赫的增益模式极坐标图显示,θ=70 度处为窄波束,增益约为 8.6 dBi。

图 8:天线在 10.2 GHz 频率下的增益模式,以三维视图显示,并叠加在天线几何图形上。

图 9:天线在 10.2 千兆赫频率下的增益图案,从倾斜的三维视角显示图案的扇形。

图 10:天线 YZ 平面 10.8 千兆赫处的增益模式极坐标图显示,θ=49 度处的波束峰值增益为 11.1 dBi。

图 11:天线在 10.8 千兆赫频率下的增益模式,以三维视图的形式叠加在天线几何图形上。

图 12:天线在 10.8 千兆赫频率下的增益模式,从一个倾斜的三维视角展示了模式的扇形。


图 13:天线 YZ 平面上 11.5 千兆赫的增益模式极坐标图显示,θ=28 度处的波束峰值增益为 12.7 dBi。


图 14:天线在 11.5 千兆赫频率下的增益模式,以三维视图的形式叠加在天线几何图形上。

图 15:天线在 11.5 千兆赫频率下的增益模式,从一个倾斜的三维视角展示了模式的扇形。

图 16:天线 YZ 平面 11.7 千兆赫处的增益模式极坐标图显示,θ=19 度处的波束峰值增益为 14 dBi。

图 17:天线在 11.7 千兆赫频率下的增益模式,以三维视图的形式叠加在天线几何图形上。

图 18:天线在 11.7 千兆赫频率下的增益模式,从一个倾斜的三维视角展示了模式的扇形。

图 19:天线 YZ 平面上 12 千兆赫的增益模式极坐标图显示,θ=13 度处的波束峰值增益为 14.2 dBi。

图 20:天线在 12 千兆赫频率下的增益模式以三维视图显示,并叠加在天线几何图形上。

图 21:天线在 12 千兆赫频率下的增益模式,从一个倾斜的三维视角展示了模式的扇形。

本文采用开槽矩形波导的理论方法计算辐射效率,该方法不考虑系统失配或其他端口的功率损耗。XFdtd 中计算出了与该理论值相当的值,并标注为独立辐射效率。图 22 显示了论文中的理论辐射效率,以及XFdtd 3D 电磁模拟软件中的独立辐射效率和 XFdtd 系统效率,其中包括失配损耗和第二个波导端口的功率损耗。

图 22:所示为天线的辐射效率。论文 [1] 中的理论结果是针对开槽矩形波导的。XFdtd 的结果是系统效率(包括失配损耗和第二个端口的损耗)和独立效率(仅用于辐射,不包括其他损耗)。

摘要

这个例子展示了在开槽基底集成波导上实现的漏波天线的性能。随着频率的增加,天线产生的窄波束可从近宽边扫描到端射。该天线具有较宽的阻抗带宽,效率随工作频率的增加而提高。

参考资料

[1] J. Liu, D. R. Jackson, and Y. Long, "Substrate Integrated Waveguide (SIW) Leaky-Wave Antenna With Transverse Slots,"IEEE Trans.60, no. 1, pp.