在这篇来自《国际天线与传播杂志》的文章中，介绍了使用升离工艺制造高电阻率硅基微带罗特曼透镜的情况。该透镜具有 3 个波束端口、5 个阵列端口、16 个假端口和 ±10 度的波束转向角。透镜在 200 微米厚的高电阻率硅晶片上制造，占地面积为 19.7 毫米 × 15.6 毫米。透镜作为 77 GHz 雷达的一个组成部分进行了测试，测试中使用了一个可调 X 波段源和一个 8 倍乘法器作为射频源，由此产生的以 77 GHz 为中心的毫米波信号通过透镜-天线组合进行辐射。带有下变频谐波混频器的喇叭天线用于接收辐射信号，并在 Advantest R3271A 频谱分析仪中显示接收到的信号。频谱分析仪中叠加的发射和接收信号显示雷达运行正常，证实了罗特曼透镜的设计。
引用：
Ali Attaran 和 Sazzadur Chowdhury，"在高电阻率硅晶片上使用升空工艺制造 77 GHz Rotman 透镜"，《国际天线与传播杂志》，第 2014 卷，文章编号 471935，第 9 页，2014 年。
