在本例中，一个 9 针连接器从标准格式文件 SAT（存为文本）CAD 文件导入XFdtd。连接器由三个主要部分组成：导电外壳、构成连接的 9 个插针（公母）和插针周围的绝缘介质。完整的连接器组件如图 1 所示，其中导电部分显示为白色，绝缘体显示为绿色。在图 2 中，外包装已拆除，以显示电介质绝缘体和引脚末端。图 3 仅显示引脚。
图 1：整个连接器的 CAD 视图，所有部件清晰可见。
图 2：去掉外部屏蔽后的连接器 CAD 视图，显示内部引脚和绝缘层。
图 3：连接器的 CAD 视图，只有针脚可见。从图中可以看出，公头和母头的插针在中间相交。
由于细节要求较高，该器件采用了分辨率为 0.075 毫米的 FDTD 网格，产生了约 1,300 万个单元的几何图形。图 4 显示了网格结果的视图，其中有几个部分被移除，以显示内部组件的细节。
图 4：XF7 中 FDTD 几何体的网格视图，其中部分被移除以显示内部细节。
模拟的激励将是一个频率高达 10 GHz 的宽带高斯脉冲。利用 XFdtd 的波导端口功能将脉冲输入其中一个引脚。输入端口产生的场分布如图 5 所示。在本次仿真中，信号将施加到图 1-4 右下角的引脚，输入从引脚的 +X 端进入，向 -X 端传播。所有引脚的 S 参数都将在本次仿真中保存。
图 5：使用波导端口功能进行仿真时的输入端口场分布。
图 6 显示的是受激引脚上的电场，此时信号刚刚到达引脚的输出端。在图 7 中，电场已通过引脚末端，并开始流入其他相邻引脚。在图 8 中，电场到达结构中所有引脚的时间已经足够。
图 6：当电场刚刚到达输出端口时，连接器横截面上的瞬态电场。
图 7：连接器横截面上的瞬态电场，此时电场正从输出端口向邻近端口扩散。
图 8：电场到达设备所有端口后，连接器横截面上的瞬态电场。
图 9-11 显示了与图 6-8 相同时间点的电场，但这次是在输出端口的平面上。从图中可以看出，距离输出端口最远的引脚上的电场比输出端口的峰值电平低约 30 dB。
图 9：当电场刚刚到达输出端口时，通过连接器输出端口平面切割的瞬态电场。
图 10：连接器输出端口平面切口处的瞬态电场，此时电场正从输出端口向邻近端口扩散。
图 11：电场到达设备所有端口后，连接器输出端口平面切口处的瞬态电场。
图 12 显示 2 GHz 时连接器三个平面上的稳态电场。图像显示，该结构所有引脚的电场水平都比峰值低约 30 dB。图 13 是 S 参数随频率变化的曲线图。在频率范围内，从输入到输出的传输损耗在 1 到 6 dB 之间。从输入到输出的回波损耗在 0 到 6 千兆赫之间较低，然后向频段的高端上升。相邻端口（激励引脚左侧）的交叉耦合在整个频段内显示出超过 15 dB 的下降水平。对于受激引脚斜对面的引脚（见图 14），交叉耦合在 6 GHz 以下为 15 dB，然后在更高频率上增加。
图 12：连接器三个平面上的稳态电场：通过激励引脚横截面、通过输出端口平面、通过输入端口平面。
图 13：激励引脚和该引脚邻近端口的 S 参数结果。
