在这个简单的示例中，我们用XFdtd制作了一个基本的充气平行板电容器，两块尺寸为 20x20 毫米的完全导电板之间有 2 毫米的间隙。如图 1 所示，两块板通过一圈导线连接。导线环的上下两部分是 50 欧姆的电阻器，用于消散电路中的瞬态电流。环路一侧是一个由高斯脉冲波形激发的 1 A 电流源。在模拟过程中，该电流源被激活，导线中产生的电流对极板充电，直至达到稳定状态。
图 1：XFdtd 中建模的充气平行板电容器结构。
模拟的瞬态响应可以通过查看几个时间点的电场来演示。在图 2 中，电流源刚刚开始脉冲，在电流源周围可以看到矢量形式的电场。在图 3 中，电流已经到达极板，可以看到极板之间的电场在不断扩大。在图 4 中，电流又回到了源的周围，同时板间的电场强度不断增强，其他电场也从电路中辐射出来。到图 5 时，所有瞬态场都已消散，板间的静态场已经形成，板间的场强约为 5000 V/m。
图 2：模拟初期，电流刚开始从源头流出时，通过电容器平面的瞬态电场矢量图。
图 3：电流刚到达平行板时，通过电容器平面的瞬态电场矢量图。
图 4：电流环流回电容源时，通过电容平面的瞬态电场矢量图，以及瞬态电场的辐射和耗散。
图 5：电路达到稳定状态且极板完全充电后，通过电容器平面的瞬态电场矢量图。在此图中，刻度已改为显示伏特/米，而不是分贝刻度。
或者，也可以使用 XFdtd 中的静态求解器来设置这种充电模拟。该求解器允许用户对几何体的不同部分施加预设电压水平。然后，通过求解几何体中每个 FDTD 网格边缘的拉普拉斯方程，即可求得稳态静态场。在本例中，电容器顶部施加的电压为 +5 V，而底板为 -5 V。根据拉普拉斯解法，可以看到建立的场与电流源模拟产生的场几乎相同。将图 5（稳定状态下的电流源模拟）与图 6（拉普拉斯静态解法）进行比较，就能发现这一点。在不同的应用中，模拟前可能需要静态场，然后再应用瞬态场。
